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1J50
1J50软磁合金是在弱磁场中具有高导磁率和低矫顽力的合金。1J50软磁合金广泛应用于无线电电子工业、精密仪器、远程控制和自动控制系统,主要用于能量转换和信息处理。它们是国民经济的重要组成部分。1J50软磁合金可分为低碳钢和amco铁、硅钢片、ni-fe软磁合金、fe-co软磁合金、fe-si-al软磁合金等。通常是板条。
1J50软磁合金
1J50是一种铁镍软磁合金.
1J50主要特性:
高磁导率和较高饱和磁感应强度.
1J50主要用途:
用于制造在中等磁场中工作的放大器,阻流圈,整流器铁芯,以及计算机装置元件.
1J50产品简介 / INTRODUCTION
1J50国外相同牌号对照表
俄罗斯 | 美国 | 英国 | 法国 | 日本 |
50H | Hy-Ra49 | Radiometal | AnhysterD | PB-2S |
1J50化学成分
C | P | S | Cu | Mn | Si | Ni | Fe |
不大于(≤) | |||||||
0.03 | 0.020 | 0.020 | 0.20 | 0.30-0.60 | 0.15-0.30 | 49.0-50.5 | Balance |
1J50物理性能
密度(g/cm3) | 电阻率 (μΩ•m) | 居里点 (℃) | 饱和磁致伸缩系数(10-6) | 布氏硬度HBS | 抗拉强度/MPa | 屈服强度/MPa | 伸长率 (%) | |||||
硬态 | 软态 | 硬态 | 软态 | 硬态 | 软态 | 硬态 | 软态 | |||||
8.20 | 0.45 | 500 | 25 | 170 | 130 | 785 | 450 | 685 | 150 | 3 | 37 |
1J50高磁导率较高饱和磁感应强度直流磁性能/(10-6/°C)
产品种类 | 级别 | 厚度或直径 | 在0.4A/m磁场强度中的磁导率μ0.4 | 最大磁导率 | 矫顽力(在饱和磁感应强度 | 饱和磁感应强度 |
mH/m | ||||||
不小于 | 不大于 | |||||
冷轧带材 | I | 0.05-0.09 | 2.5 | 35 | 20 | 1.5 |
0.10-0.19 | 2.9 | 40 | 14.4 | 1.5 | ||
0.20-0.34 | 3.3 | 50 | 11.2 | 1.5 | ||
0.35-0.50 | 3.8 | 62.5 | 9.6 | 1.5 | ||
0.51-1.00 | 3.8 | 62.5 | 9.6 | 1.5 | ||
1.10-2.50 | 3.5 | 56.3 | 9.6 | 1.5 | ||
II | 0.10-0.19 | 3.8 | 43.8 | 12 | 1.5 | |
0.20-0.34 | 4.4 | 56.3 | 10.4 | 1.5 | ||
0.35-0.50 | 5.0 | 65 | 8.8 | 1.5 | ||
0.51-1.00 | 5.0 | 50 | 10 | 1.5 | ||
1.0-2.5 | 3.8 | 44 | 12 | 1.5 | ||
III | 0.05-0.20 | 12.5 | 75 | 4.8 | 1.52 | |
热轧(锻)扁材 | 3-22 | 3.1 | 31.3 | 14.4 | 1.5 | |
热轧(锻)棒材 | 8-100 | 3.1 | 31.3 | 14.4 | 1.5 |
1J50合金的平均线膨胀系数(10-6/°C)
20-100℃ | ℃20-20 | 20-300℃ | 20-400℃ | 20-500℃ |
8.9 | 9.27 | 9.2 | 9.2 | 9.4 |
1J50供货形式
形式 | 规格/mm | 交货状态 |
棒材 | 5.0-8.0 | 冷拉 |
8.0-30.0 | 热轧 | |
30.0-180.0 | 热锻 | |
板材 | 3.5-30.0 | 热轧 |
30.0-40.0 | 热锻 | |
带材 | 0.2-3.5 | 冷轧 |
扁丝 | 0.5-5.0 | 热轧 |
圆丝 | 0.1-5.0 | 冷拉 |
毛细管 | 外径8.0-1.0,内径0.1-8.0 | 冷拉 |
管材 | 外径120-8.0, 内径8.0-129 | 冷拔 |
1J50软磁合金的主要磁性能:
(1)低矫顽力(Hc)和滞后损耗(Wh);
(2)高电阻率(ρ),低涡流损耗(We);
(3)初始渗透率(μ0)和最大渗透率(Br/Bm)较高。这些合金在低磁场下具有恒磁导率(B/H)。
(4)高饱和磁感应系数(Bs);
(5)部分合金的磁滞回线为矩形,高于剩余/最大磁感应(Br/Bm)。
1J50软磁合金的主要应用:
1. 在电力工业中,主要使用高磁灵敏度、高磁场下损耗小的合金。
2. 在电子工业中,高导磁率和低矫顽力的合金主要用于低磁场或中磁场。
3.应采用高频薄带或高电阻率合金。
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