CuNi3Si 是一种通过 Ni₂Si 相沉淀强化的铜合金，成分范围为铜 95.5%-96.5%、镍 2.8%-3.2%、硅 0.5%-0.7%，杂质总含量≤0.5%。这种合金在保持 65% IACS 高导电率的同时，抗拉强度达 620-670MPa，成为电子工业中高强度导电部件的理想选择。

3% 镍与 0.6% 硅的精准配比是性能平衡的关键，460℃时效处理时，均匀析出直径 18-22nm 的 Ni₂Si 强化相，使强度比纯铜提升 2 倍，而导电率仅降低 20%。某 5G 基站的 CuNi3Si 信号传输端子，厚度 0.3mm，在保持 65% IACS 导电率的同时，插拔 10 万次后接触电阻仍稳定在 25mΩ 以下，信号传输延迟≤0.8ns，满足高频通信需求。

加工性能适配精密成型工艺，冷加工率可达 75%，能轧制成 0.06mm 的超薄带材，最小弯曲半径 0.3 倍厚度（90° 弯曲无裂纹）。某智能手机的 CuNi3Si 天线弹片，经冲压成型后，尺寸公差控制在 ±0.005mm，确保信号接收稳定。其焊接性能适合微电子封装，激光焊接热影响区宽度≤0.08mm，接头强度达母材的 92%，满足精密电子元件的连接要求。

耐蚀性优于普通黄铜，在湿热环境（40℃、90% 湿度）中，年腐蚀速率 0.004mm。某户外传感器的接线端子使用 3 年无锈蚀，接触电阻变化≤8mΩ。高温稳定性良好，120℃时效 1000 小时后，强度保持率 92%，某汽车发动机舱的连接器在 120℃环境中，使用寿命达 10 年。

制备工艺注重时效控制，工频感应炉熔炼时，硅以 Cu-Si 中间合金加入，避免氧化烧损。900℃固溶处理后水淬，再经 460℃×3 小时时效，确保 Ni₂Si 相均匀分布。冷轧过程控制轧制油清洁度，表面粗糙度 Ra≤0.05μm，满足精密电子对表面质量的要求。

应用集中在高端电子领域：5G 设备的高频连接器，低信号损耗；新能源汽车的电池极耳，兼顾导电与抗疲劳；航空航天的精密传感器引线，耐振动冲击；半导体的引线框架，尺寸稳定性优异。